STL4P2UH7备选型号: DMG2302U-7
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 通道数量
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏源击穿电压
- RoHS状态
- 无铅
- 工厂交货时间
- 质量
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 电阻
- 端子表面处理
- 附加功能
- 引脚数量
- 阈值电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- Trans MOSFET P-CH 20V 4A 6-Pin Power Flat EP T/R表面贴装表面贴装6-PowerWDFN6SILICON4A Tc150°C TJCut Tape (CT)DeepGATE™, STripFET™ VIIObsolete1 (Unlimited)6EAR99DUALFLAT未说明未说明STL41Single增强型MOSFET2.4WDRAIN9 nsP-ChannelSWITCHING100m Ω @ 2A, 4.5V1V @ 250μA510pF @ 10V4.8nC @ 4.5V21ns±8V19 ns4A8V4A20VROHS3 Compliant无铅---------------
- MOSFET ENHANCE MODE MOSFET 20V N-Chan表面贴装表面贴装TO-236-3, SC-59, SOT-23-33SILICON4.2A Ta-55°C~150°C TJDigi-Reel®-Obsolete1 (Unlimited)3EAR99DUAL鸥翼26040-1Single增强型MOSFET800mW-7.4 nsN-ChannelSWITCHING90m Ω @ 3.6A, 4.5V1V @ 50μA594.3pF @ 10V7nC @ 4.5V9.8ns±8V6.7 ns4.2A8V-20VROHS3 Compliant无铅5 Weeks7.994566mg2012e3yes90MOhmMatte Tin (Sn)HIGH RELIABILITY31V1mm3mm1.4mm无SVHC无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | DMG2302U-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET ENHANCE MODE MOSFET 20V N-Chan | 对比 |




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