STMicroelectronics STL4P2UH7

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

6-PowerWDFN

引脚数

6

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

4A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V 4.5V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

2.4W Tc

Turn Off Delay Time

40 ns

操作温度

150°C TJ

包装

Cut Tape (CT)

系列

DeepGATE™, STripFET™ VII

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

ECCN 代码

EAR99

端子位置

DUAL

终端形式

FLAT

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

基本部件号

STL4

通道数量

1

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

2.4W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

9 ns

场效应管类型

P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

100m Ω @ 2A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

510pF @ 10V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

4.8nC @ 4.5V

上升时间

21ns

Vgs（最大值）

±8V

下降时间（典型值）

19 ns

连续放电电流(ID)

4A

栅极至源极电压(Vgs)

8V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

4A

漏源击穿电压

20V

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅