STL50DN6F7备选型号: DMTH6010SK3Q-13
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- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 生命周期状态
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 最大功率耗散
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- 连续放电电流(ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- DS 击穿电压-最小值
- 场效应管技术
- 场效应管特性
- RoHS状态
- 无铅
- 工厂交货时间
- 已出版
- 附加功能
- 端子位置
- Vgs(最大值)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级(Eas)
- MOSFET N-CH 60V 57A POWERFLATACTIVE (Last Updated: 8 months ago)表面贴装表面贴装8-PowerVDFN8SILICON57A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)STripFET™e3活跃1 (Unlimited)6EAR99Matte Tin (Sn)62.5WFLAT260not_compliant未说明STL50R-PDSO-F6SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAIN2 N-Channel (Dual)SWITCHING11m Ω @ 7.5A, 10V4V @ 250μA1035pF @ 30V17nC @ 10V60V57A0.011Ohm60VMETAL-OXIDE SEMICONDUCTORStandardROHS3 Compliant无铅--------
- MOSFET NCH 60V 16.3A TO252-表面贴装表面贴装TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD-SILICON16.3A Ta 70A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)Automotive, AEC-Q101e3活跃1 (Unlimited)2EAR99Matte Tin (Sn)-鸥翼未说明not_compliant未说明-R-PSSO-G2SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAINN-ChannelSWITCHING8m Ω @ 20A, 10V4V @ 250μA2841pF @ 30V38.1nC @ 10V60V70A0.008Ohm60V--ROHS3 Compliant-23 Weeks2016HIGH RELIABILITYSINGLE±20V16.3A80A27.7 mJ
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | DMTH6009LK3Q-13 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 60V 14.2A TO252 | 对比 |
![]() | DMTH6010SK3Q-13 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD | MOSFET NCH 60V 16.3A TO252 | 对比 |





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