STMicroelectronics STL50DN6F7

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-PowerVDFN

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

57A Tc

Number of Elements

2

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

STripFET™

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

最大功率耗散

62.5W

终端形式

FLAT

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

Reach合规守则

not_compliant

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

基本部件号

STL50

JESD-30代码

R-PDSO-F6

配置

SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

2 N-Channel (Dual)

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

11m Ω @ 7.5A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1035pF @ 30V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

17nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

60V

连续放电电流(ID)

57A

漏极-源极导通最大电阻

0.011Ohm

DS 击穿电压-最小值

60V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

Standard

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅