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首页 全部分类 STL55NH3LL vs IRLR8259PBF

STL55NH3LL备选型号: IRLR8259PBF

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  • 操作模式
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  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
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  • Vgs（最大值）
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  • 漏源击穿电压
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  • RoHS状态
  • 无铅
  • 已出版
  • 终端
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  • 双电源电压
  • 恢复时间
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • STMicroelectronics
    STL55NH3LL
    STMicroelectronics
    MOSFET N-channel 30 V
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerVDFN
    8
    SILICON
    55A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    STripFET™
    e3
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    8.8mOhm
    哑光锡
    低阈值
    DUAL
    无铅
    225
    unknown
    未说明
    STL55
    8
    R-PDSO-N5
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    60W
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    8.8m Ω @ 7.5A, 10V
    2.5V @ 250μA
    965pF @ 25V
    12nC @ 4.5V
    32ns
    ±16V
    8.5 ns
    55A
    2.5V
    16V
    15A
    30V
    60A
    150 mJ
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRLR8259PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 25V 57A DPAK
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    SILICON
    57A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    e3
    -
    Discontinued
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    8.7MOhm
    Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
    -
    SINGLE
    鸥翼
    260
    -
    30
    -
    -
    R-PSSO-G2
    -
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    48W
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    8.7m Ω @ 21A, 10V
    2.35V @ 25μA
    900pF @ 13V
    10nC @ 4.5V
    38ns
    ±20V
    8.9 ns
    57A
    1.9V
    20V
    42A
    25V
    -
    67 mJ
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    2008
    SMD/SMT
    8.4 ns
    TO-252AA
    25V
    26 ns
    1.9 V
    2.3876mm
    6.7056mm
    6.22mm
    无
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