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STL57N65M5备选型号: STB32N65M5
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- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
- 雪崩能量等级（Eas）
- 高度
- 长度
- 宽度
- RoHS状态
- 无铅
- JESD-609代码
- 电阻
- 端子表面处理
- 附加功能
- 引脚数量
- 上升时间
- 下降时间（典型值）
- 阈值电压
- 漏源击穿电压
- 达到SVHC
- 辐射硬化
MOSFET N-CH 650V 4.3A 8POWERFLATACTIVE (Last Updated: 8 months ago)12 Weeks表面贴装表面贴装8-PowerVDFN8SILICON4.3A Ta 22.5A Tc150°C TJDigi-Reel®MDmesh™ V活跃3 (168 Hours)4EAR99无铅未说明未说明STL57S-PSSO-N4Single增强型MOSFET2.8WDRAIN84 nsN-ChannelSWITCHING69m Ω @ 20A, 10V5V @ 250μA4200pF @ 100V110nC @ 10V650V±25V22.5A25V22A0.069Ohm90A650V960 mJ950μm8mm8mmROHS3 Compliant无铅-----------
MOSFET POWER MOSFET N-CH 650VACTIVE (Last Updated: 7 months ago)17 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3SILICON24A Tc150°C TJCut Tape (CT)MDmesh™ V活跃1 (Unlimited)2EAR99鸥翼24530STB32NR-PSSO-G2Single增强型MOSFET150W-53 nsN-ChannelSWITCHING119m Ω @ 12A, 10V5V @ 250μA3320pF @ 100V72nC @ 10V-±25V24A25V--96A-650 mJ4.6mm10.75mm10.4mmROHS3 Compliant无铅e3119MOhmMatte Tin (Sn) - annealed雪崩能源评级412ns16 ns4V650V无SVHC无- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | IPL65R070C7AUMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | 4-PowerTSFN | MOSFET N-CH 4VSON | 对比 |
| STB32N65M5 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET POWER MOSFET N-CH 650V | 对比 |
| STL38N65M5 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | 8-PowerVDFN | MOSFET N-CH 650V 22.5A PWRFLAT8X | 对比 |
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