STMicroelectronics STL57N65M5

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)

工厂交货时间

12 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-PowerVDFN

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

4.3A Ta 22.5A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

2.8W Ta 189W Tc

Turn Off Delay Time

84 ns

操作温度

150°C TJ

包装

Digi-Reel®

系列

MDmesh™ V

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

3 (168 Hours)

终止次数

4

ECCN 代码

EAR99

终端形式

无铅

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

基本部件号

STL57

JESD-30代码

S-PSSO-N4

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

2.8W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

84 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

69m Ω @ 20A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

4200pF @ 100V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

110nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

650V

Vgs（最大值）

±25V

连续放电电流(ID)

22.5A

栅极至源极电压(Vgs)

25V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

22A

漏极-源极导通最大电阻

0.069Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

90A

DS 击穿电压-最小值

650V

雪崩能量等级（Eas）

960 mJ

高度

950μm

长度

8mm

宽度

8mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅