STL58N3LLH5备选型号: IRLR7821PBF

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  • 湿度敏感性等级(MSL)
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  • ECCN 代码
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  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
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  • 连续放电电流(ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
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  • DS 击穿电压-最小值
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  • 已出版
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  • 电压 - 额定直流
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  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
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  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 双电源电压
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 30V 64A POWERFLAT
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerVDFN
    8
    SILICON
    64A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Cut Tape (CT)
    Automotive, AEC-Q101, STripFET™ H5
    Discontinued
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    DUAL
    FLAT
    未说明
    未说明
    STL58
    R-PDSO-F5
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    9m Ω @ 7.5A, 10V
    2.5V @ 250μA
    950pF @ 25V
    10nC @ 4.5V
    30V
    +22V, -20V
    64A
    0.0112Ohm
    224A
    30V
    150 mJ
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 65A DPAK
    -
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    -
    65A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    Discontinued
    1 (Unlimited)
    -
    EAR99
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    N-Channel
    -
    10m Ω @ 15A, 10V
    1V @ 250μA
    1030pF @ 15V
    14nC @ 4.5V
    -
    ±20V
    65A
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    2004
    10MOhm
    30V
    65A
    Single
    75W
    11 ns
    4.2ns
    3.2 ns
    1V
    20V
    30V
    30V
    1 V
    2.26mm
    6.7056mm
    6.22mm
    无SVHC
    无铅
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