STMicroelectronics STL58N3LLH5

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-PowerVDFN

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

2.5V @ 250μA

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

64A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

4.8W Ta 62.5W Tc

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Cut Tape (CT)

系列

Automotive, AEC-Q101, STripFET™ H5

零件状态

ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

5

ECCN 代码

EAR99

端子位置

DUAL

终端形式

FLAT

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

基本部件号

STL58

JESD-30代码

R-PDSO-F5

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

9m Ω @ 7.5A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

950pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

10nC @ 4.5V

漏源电压 (Vdss)

30V

Vgs（最大值）

+22V, -20V

连续放电电流(ID)

64A

漏极-源极导通最大电阻

0.0112Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

224A

DS 击穿电压-最小值

30V

雪崩能量等级（Eas）

150 mJ

RoHS状态

ROHS3 Compliant