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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥14.828269
10
¥13.988933
100
¥13.197106
500
¥12.4501
1000
¥11.745377
STMicroelectronics STL58N3LLH5
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STL58N3LLH5
2381-STL58N3LLH5
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
8-PowerVDFN
大陆
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MOSFET N-CH 30V 64A POWERFLAT
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¥
总价: ¥
STL58N3LLH5详情
STMicroelectronics STL58N3LLH5重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-PowerVDFN
引脚数
8
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
64A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
4.8W Ta 62.5W Tc
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Cut Tape (CT)
系列
Automotive, AEC-Q101, STripFET™ H5
零件状态
Discontinued
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
5
ECCN 代码
EAR99
端子位置
DUAL
终端形式
FLAT
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
基本部件号
STL58
JESD-30代码
R-PDSO-F5
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
9m Ω @ 7.5A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
950pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
10nC @ 4.5V
漏源电压 (Vdss)
30V
Vgs(最大值)
+22V, -20V
连续放电电流(ID)
64A
漏极-源极导通最大电阻
0.0112Ohm
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
224A
DS 击穿电压-最小值
30V
雪崩能量等级(Eas)
150 mJ
RoHS状态
ROHS3 Compliant
STL58N3LLH5拓展信息
STMicroelectronics
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