STL65N3LLH5备选型号: STB95N3LLH6
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 终端
- ECCN 代码
- 电阻
- 端子位置
- 基本部件号
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 双电源电压
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- JESD-609代码
- 端子表面处理
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 配置
- 漏源电压 (Vdss)
- 漏极-源极导通最大电阻
- MOSFET N-CH 30 V PowerFLAT表面贴装表面贴装8-PowerVDFN8SILICON65A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)STripFET™ VyesObsolete1 (Unlimited)5SMD/SMTEAR995.8mOhmDUALSTL658R-PDSO-N5Single增强型MOSFET60WDRAIN9.3 nsN-ChannelSWITCHING5.8m Ω @ 9.5A, 10V1V @ 250μA1500pF @ 25V12nC @ 4.5V14.5ns±22V4.5 ns9.5A1V22V65A30V76A30V1 V880μm4.75mm5.75mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅-------
- Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(2 Tab) D2PAK T/R表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3SILICON80A Tc175°C TJCut Tape (CT)DeepGATE™, STripFET™ VIyesObsolete1 (Unlimited)2-EAR99-SINGLESTB95N4R-PSSO-G2-增强型MOSFET70WDRAIN19 nsN-ChannelSWITCHING4.2m Ω @ 40A, 10V2.5V @ 250μA2200pF @ 25V24.5nC @ 4.5V91ns±20V23.4 ns80A1V20V-----4.6mm10.75mm10.4mm无SVHC无ROHS3 Compliant-e3Matte Tin (Sn) - annealed鸥翼245SINGLE WITH BUILT-IN DIODE30V0.007Ohm
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | STB70NF3LLT4 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-Ch 30 Volt 70 Amp | 对比 |
![]() | STB95N3LLH6 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(2 Tab) D2PAK T/R | 对比 |
![]() | STL60N3LLH5 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerVDFN | MOSFET N-CH 30V 17A POWERFLAT | 对比 |





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