您好，欢迎来到优特美尔 登录 注册有礼
我的订单 会员中心
订单状态 询价历史 我的收藏 地址管理
QQ在线咨询 电话0755-83328606
DEGSON海康连接器端子储存器硬盘闪存卡
IC分立半导体传感器
询价列表
购物车
0
首页 产品目录表 品牌库 BOM配单 行业资讯 资质认证 关于我们 联系我们
首页 全部分类 STL66DN3LLH5 vs STL65DN3LLH5

STL66DN3LLH5备选型号: STL65DN3LLH5

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • JESD-609代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 最大功率耗散
  • 基本部件号
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 晶体管元件材料
  • 终止次数
  • 电阻
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 界面
  • 内存大小
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 数据总线宽度
  • 晶体管应用
  • 定时器/计数器的数量
  • 核心架构
  • 最高频率
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 可编程I/O数
  • STMicroelectronics
    STL66DN3LLH5
    STMicroelectronics
    MOSFET 2N-CH 30V 78.5A PWRFLAT56
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    14 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerVDFN
    8
    2
    -55°C~175°C TJ
    Cut Tape (CT)
    Automotive, AEC-Q101, STripFET™ V
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Matte Tin (Sn) - annealed
    72W
    STL66
    72W
    8.8 ns
    2 N-Channel (Dual)
    6.5m Ω @ 10A, 10V
    3V @ 250μA
    1500pF @ 25V
    12nC @ 4.5V
    18ns
    30V
    4 ns
    78.5A
    22V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STL65DN3LLH5
    STMicroelectronics
    Dual N-Channel 30 V 0.0065 Ohm SMT STripFET V Power MosFet - PowerFLAT 5x6
    OBSOLETE (Last Updated: 7 months ago)
    -
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerVDFN
    8
    FLASH
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    STripFET™ V
    e3
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    60W
    STL65
    60W
    -
    2 N-Channel (Dual)
    6.5m Ω @ 9.5A, 10V
    1.5V @ 250μA
    1500pF @ 25V
    12nC @ 4.5V
    -
    -
    -
    65A
    22V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    SILICON
    6
    6.5MOhm
    260
    30
    8
    R-PDSO-N6
    CAN, I2C, I2S, SPI, UART, USART, USB
    768kB
    Dual
    增强型MOSFET
    DRAIN
    32b
    SWITCHING
    14
    ARM
    120MHz
    19A
    30V
    76A
    114
  • 添加型号
分立半导体产品相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
IRLR8726PBF IRLR8726PBF Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 MOSFET N-CH 30V 86A DPAK 对比
STL65DN3LLH5 STL65DN3LLH5 STMicroelectronics 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 8-PowerVDFN Dual N-Channel 30 V 0.0065 Ohm SMT STripFET V Power MosFet - PowerFLAT 5x6 对比
STL66N3LLH5 STL66N3LLH5 STMicroelectronics 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 8-PowerVDFN MOSFET N-Ch 30V 0.0048 Ohm 21A STripFET V 对比