STL66DN3LLH5备选型号: STL66N3LLH5
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- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 操作温度
- 包装
- 系列
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 最大功率耗散
- 基本部件号
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 场效应管技术
- 场效应管特性
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 电阻
- 元素配置
- Vgs(最大值)
- 漏源击穿电压
- MOSFET 2N-CH 30V 78.5A PWRFLAT56ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)14 Weeks表面贴装表面贴装8-PowerVDFN82-55°C~175°C TJCut Tape (CT)Automotive, AEC-Q101, STripFET™ Ve3活跃1 (Unlimited)EAR99Matte Tin (Sn) - annealed72WSTL6672W8.8 ns2 N-Channel (Dual)6.5m Ω @ 10A, 10V3V @ 250μA1500pF @ 25V12nC @ 4.5V18ns30V4 ns78.5A22VMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR逻辑电平门无ROHS3 Compliant无铅----
- MOSFET N-Ch 30V 0.0048 Ohm 21A STripFET VACTIVE (Last Updated: 8 months ago)14 Weeks表面贴装表面贴装8-PowerVDFN880A Tc-55°C~175°C TJCut Tape (CT)Automotive, AEC-Q101, STripFET™ Ve3活跃1 (Unlimited)EAR99Matte Tin (Sn) - annealed-STL664.8W9.3 nsN-Channel5.8m Ω @ 10.5A, 10V3V @ 250μA1500pF @ 25V12nC @ 4.5V14.5ns-4.5 ns80A22V--无ROHS3 Compliant无铅5.8MOhmSingle±22V30V
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRLR8726PBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 30V 86A DPAK | 对比 |
![]() | STL65DN3LLH5 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | 8-PowerVDFN | Dual N-Channel 30 V 0.0065 Ohm SMT STripFET V Power MosFet - PowerFLAT 5x6 | 对比 |
![]() | STL66N3LLH5 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerVDFN | MOSFET N-Ch 30V 0.0048 Ohm 21A STripFET V | 对比 |





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