STL6N2VH5备选型号: FDMA510PZ
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- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 端子位置
- 基本部件号
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- Vgs(最大值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏源击穿电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 生命周期状态
- 触点镀层
- 质量
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 接通延迟时间
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- 下降时间(典型值)
- 阈值电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 栅源电压
- 达到SVHC
- MOSFET N-Ch 20 V 0.025 Ohm 6 A STripFET V14 Weeks表面贴装表面贴装6-PowerWDFN6SILICON2.5V 4.5V-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)STripFET™ V活跃1 (Unlimited)6EAR9940mOhmDUALSTL6Single增强型MOSFET2.4WDRAINN-ChannelSWITCHING30m Ω @ 3A, 4.5V700mV @ 250μA550pF @ 16V6nC @ 4.5V±8V6A8V6A20V750μm2.1mm2.1mm无ROHS3 Compliant无铅--------------
- MOSFET P-CH 20V 7.8A 6-MICROFET16 Weeks表面贴装表面贴装6-VDFN Exposed Pad6SILICON7.8A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)PowerTrench®活跃1 (Unlimited)6EAR9930MOhmDUAL-Single增强型MOSFET2.4WDRAINP-ChannelSWITCHING30m Ω @ 7.8A, 4.5V1.5V @ 250μA1480pF @ 10V27nC @ 4.5V±8V-7.8A8V--20V750μm2mm2mm无ROHS3 Compliant无铅ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)Gold30mg2009e4yes7 ns9ns20V64 ns-700mV24A-700 mV无SVHC
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| FDS9926A | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | ON SEMICONDUCTOR - FDS9926A - Dual MOSFET, Dual N Channel, 6.5 A, 20 V, 0.025 ohm, 4.5 V, 1 V | 对比 | |
| FDMA507PZ | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 6-WDFN Exposed Pad | Trans MOSFET P-CH 20V 7.8A 6-Pin MicroFET T/R | 对比 |



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