STMicroelectronics STL6N2VH5
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STL6N2VH5
2381-STL6N2VH5
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
6-PowerWDFN
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MOSFET N-Ch 20 V 0.025 Ohm 6 A STripFET V
--最小包装量--
STL6N2VH5详情
STMicroelectronics STL6N2VH5重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
14 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
6-PowerWDFN
引脚数
6
晶体管元件材料
SILICON
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V 4.5V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
2.4W Tc
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
STripFET™ V
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
ECCN 代码
EAR99
电阻
40mOhm
端子位置
DUAL
基本部件号
STL6
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
2.4W
箱体转运
DRAIN
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
30m Ω @ 3A, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
700mV @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
550pF @ 16V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
6nC @ 4.5V
Vgs(最大值)
±8V
连续放电电流(ID)
6A
栅极至源极电压(Vgs)
8V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
6A
漏源击穿电压
20V
高度
750μm
长度
2.1mm
宽度
2.1mm
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
STL6N2VH5拓展信息
STMicroelectronics
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