ON Semiconductor FDMA507PZ
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FDMA507PZ
1807-FDMA507PZ
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
6-WDFN Exposed Pad
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Trans MOSFET P-CH 20V 7.8A 6-Pin MicroFET T/R
--最小包装量--
FDMA507PZ详情
ON Semiconductor FDMA507PZ重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
工厂交货时间
16 Weeks
触点镀层
Gold
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
6-WDFN Exposed Pad
引脚数
6
质量
30mg
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
7.8A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V 4.5V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
2.4W Ta
Turn Off Delay Time
192 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
PowerTrench®
JESD-609代码
e4
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
ECCN 代码
EAR99
电阻
24MOhm
端子位置
DUAL
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
2.4W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
6.4 ns
场效应管类型
P-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
24m Ω @ 7.8A, 5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
2015pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
42nC @ 5V
上升时间
14ns
漏源电压 (Vdss)
20V
Vgs(最大值)
±8V
下降时间(典型值)
96 ns
连续放电电流(ID)
7.8A
阈值电压
-500mV
栅极至源极电压(Vgs)
8V
漏源击穿电压
-20V
栅源电压
-500 mV
高度
750μm
长度
2mm
宽度
2mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
FDMA507PZ拓展信息
ON Semiconductor
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