STL70N10F3备选型号: NDBA100N10BT4H
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子位置
- 终端形式
- 基本部件号
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级(Eas)
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 工厂交货时间
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 端子表面处理
- 漏源电压 (Vdss)
- 无铅
- MOSFET N-Ch 100V 0.0065 Ohm 16A STripFET III MOS表面贴装表面贴装8-PowerVDFN8SILICON82A Tc-55°C~175°C TJCut Tape (CT)STripFET™ IIIObsolete1 (Unlimited)5EAR99DUALFLATSTL70R-PDSO-F5SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET136WDRAIN17 nsN-ChannelSWITCHING8.4m Ω @ 8A, 10V4V @ 250μA3210pF @ 25V56nC @ 10V11ns±20V5.7 ns82A20V100V64A770 mJ无ROHS3 Compliant-------
- MOSFET N-CH 100V 100A DPAK表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3-100A Ta175°C TJTape & Reel (TR)-Obsolete1 (Unlimited)-EAR99--------40 nsN-Channel-6.9m Ω @ 50A, 15V4V @ 1mA2950pF @ 50V35nC @ 10V385ns±20V52 ns100A20V----符合RoHS标准4 Weeks2011e3yesTin (Sn)100V无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | NDBA100N10BT4H | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 100V 100A DPAK | 对比 |
![]() | BSC070N10NS3GATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN | Trans MOSFET N-CH 100V 90A 8-Pin TDSON EP | 对比 |
![]() | BSC082N10LSGATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN | Trans MOSFET N-CH 100V 13.8A 8-Pin TDSON EP | 对比 |





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