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STL75N8LF6备选型号: STL100N10F7
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- 描述:
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子位置
- 基本部件号
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级（Eas）
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- JESD-609代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 元素配置
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 高度
- 长度
- 宽度
- 无铅
MOSFET N-CH 80V 75A POWERFLAT56表面贴装表面贴装8-PowerVDFN8SILICON75A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)DeepGATE™, STripFET™ VIObsolete1 (Unlimited)5EAR99DUALSTL758R-PDSO-N5SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET80WDRAIN17 nsN-ChannelSWITCHING7.4m Ω @ 9A, 10V1V @ 250μA6895pF @ 25V125nC @ 4.5V14ns80V+21V, -16V26 ns75A20V72A670 mJ无ROHS3 Compliant--------------
MOSFET N-CH 100V 80A PWRFLT5X6表面贴装表面贴装8-PowerVDFN8SILICON80A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)DeepGATE™, STripFET™ VII活跃1 (Unlimited)5EAR99DUALSTL100-R-PDSO-F5-增强型MOSFET100WDRAIN27 nsN-ChannelSWITCHING7.3m Ω @ 19A, 10V4V @ 250μA5680pF @ 50V80nC @ 10V40ns100V±20V15 ns80A20V76A400 mJ无ROHS3 CompliantACTIVE (Last Updated: 8 months ago)13 Weekse3Matte Tin (Sn)超低电阻FLAT260Single70A0.0073Ohm950μm5.4mm6.35mm无铅- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | IPD053N08N3GATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | Trans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin(2 Tab) TO-252 T/R | 对比 |
| STL100N10F7 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | 8-PowerVDFN | MOSFET N-CH 100V 80A PWRFLT5X6 | 对比 |
 | STL80N75F6 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | 8-PowerVDFN | MOSFET N-Ch 75V 0.0051 Ohm 18A STripFET VI | 对比 |
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