STMicroelectronics STL75N8LF6
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STL75N8LF6
2381-STL75N8LF6
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
8-PowerVDFN
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MOSFET N-CH 80V 75A POWERFLAT56
--最小包装量--
STL75N8LF6详情
STMicroelectronics STL75N8LF6重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-PowerVDFN
引脚数
8
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
75A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
5V 10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
80W Tc
Turn Off Delay Time
112 ns
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
DeepGATE™, STripFET™ VI
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
5
ECCN 代码
EAR99
端子位置
DUAL
基本部件号
STL75
引脚数量
8
JESD-30代码
R-PDSO-N5
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
80W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
17 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
7.4m Ω @ 9A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
6895pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
125nC @ 4.5V
上升时间
14ns
漏源电压 (Vdss)
80V
Vgs(最大值)
+21V, -16V
下降时间(典型值)
26 ns
连续放电电流(ID)
75A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
72A
雪崩能量等级(Eas)
670 mJ
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
STL75N8LF6拓展信息
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