STL75NH3LL备选型号: IRLR3103TRPBF
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- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 终端
- ECCN 代码
- 电阻
- 端子表面处理
- 附加功能
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 资历状况
- 配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏源击穿电压
- 双电源电压
- 栅源电压
- 达到SVHC
- RoHS状态
- 无铅
- 工厂交货时间
- 已出版
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 元素配置
- 接通延迟时间
- JEDEC-95代码
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级(Eas)
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
- MOSFET N-CH 30 V PowerFLAT表面贴装表面贴装8-PowerVDFN8SILICON75A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)STripFET™e3Obsolete1 (Unlimited)5SMD/SMTEAR995.7mOhmMatte Tin (Sn) - annealed低阈值DUAL无铅260未说明STL758R-PDSO-N5不合格SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET60WDRAINN-ChannelSWITCHING5.7m Ω @ 10A, 10V1V @ 250μA1810pF @ 25V24nC @ 4.5V65ns±16V20 ns75A1V16V20A30V30V1 V无SVHCROHS3 Compliant无铅-------------
- MOSFET N-CH 30V 55A DPAK表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-633SILICON55A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®e3不用于新设计1 (Unlimited)2-EAR9919mOhmMatte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrierLOGIC LEVEL COMPATIBLE, AVALANCHE RATED-鸥翼26030--R-PSSO-G2--增强型MOSFET69WDRAINN-ChannelSWITCHING19m Ω @ 33A, 10V1V @ 250μA1600pF @ 25V50nC @ 4.5V210ns±16V54 ns46A1V16V20A30V--无SVHCROHS3 CompliantContains Lead, Lead Free12 Weeks199830V52ASingle9 nsTO-252AA220A240 mJ2.3876mm6.7056mm6.22mm无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | STL65N3LLH5 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerVDFN | MOSFET N-CH 30 V PowerFLAT | 对比 |
![]() | STB95N3LLH6 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(2 Tab) D2PAK T/R | 对比 |
![]() | STL60N3LLH5 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerVDFN | MOSFET N-CH 30V 17A POWERFLAT | 对比 |





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