您好，欢迎来到优特美尔 登录 注册有礼
我的订单 会员中心
订单状态 询价历史 我的收藏 地址管理
QQ在线咨询 电话0755-83328606
DEGSON海康连接器端子储存器硬盘闪存卡
IC分立半导体传感器
询价列表
购物车
0
首页 产品目录表 品牌库 BOM配单 行业资讯 资质认证 关于我们 联系我们
首页 全部分类 STL75NH3LL vs STB95N3LLH6

STL75NH3LL备选型号: STB95N3LLH6

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • JESD-609代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • 终端
  • ECCN 代码
  • 电阻
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 双电源电压
  • 栅源电压
  • 达到SVHC
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 无铅代码
  • 接通延迟时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • STMicroelectronics
    STL75NH3LL
    STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 30 V PowerFLAT
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerVDFN
    8
    SILICON
    75A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    STripFET™
    e3
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    5
    SMD/SMT
    EAR99
    5.7mOhm
    Matte Tin (Sn) - annealed
    低阈值
    DUAL
    无铅
    260
    未说明
    STL75
    8
    R-PDSO-N5
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    60W
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    5.7m Ω @ 10A, 10V
    1V @ 250μA
    1810pF @ 25V
    24nC @ 4.5V
    65ns
    ±16V
    20 ns
    75A
    1V
    16V
    20A
    30V
    30V
    1 V
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STB95N3LLH6
    STMicroelectronics
    Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(2 Tab) D2PAK T/R
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    3
    SILICON
    80A Tc
    175°C TJ
    Cut Tape (CT)
    DeepGATE™, STripFET™ VI
    e3
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    2
    -
    EAR99
    -
    Matte Tin (Sn) - annealed
    -
    SINGLE
    鸥翼
    245
    -
    STB95N
    4
    R-PSSO-G2
    -
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    70W
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    4.2m Ω @ 40A, 10V
    2.5V @ 250μA
    2200pF @ 25V
    24.5nC @ 4.5V
    91ns
    ±20V
    23.4 ns
    80A
    1V
    20V
    -
    -
    -
    -
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    -
    yes
    19 ns
    30V
    0.007Ohm
    4.6mm
    10.75mm
    10.4mm
    无
  • 添加型号
分立半导体产品相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
STL65N3LLH5 STL65N3LLH5 STMicroelectronics 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 8-PowerVDFN MOSFET N-CH 30 V PowerFLAT 对比
STB95N3LLH6 STB95N3LLH6 STMicroelectronics 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(2 Tab) D2PAK T/R 对比
STL60N3LLH5 STL60N3LLH5 STMicroelectronics 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 8-PowerVDFN MOSFET N-CH 30V 17A POWERFLAT 对比