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STL7N60M2备选型号: IPD60R750E6ATMA1
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MOSFET N-CH 600V 5A POWERFLAT12 Weeks表面贴装表面贴装8-PowerVDFN85A Tc150°C TJTape & Reel (TR)MDmesh™活跃1 (Unlimited)EAR99未说明未说明STL7SingleN-Channel1.05 Ω @ 2A, 10V4V @ 250μA271pF @ 100V8.8nC @ 10V600V±25V5A5AROHS3 Compliant--------------
Trans MOSFET N-CH 600V 5.7A 3-Pin(2 Tab) TO-25212 Weeks表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-6335.7A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)CoolMOS™ E6Obsolete1 (Unlimited)-----N-Channel750mOhm @ 2A, 10V3.5V @ 170μA373pF @ 100V17.2nC @ 10V600V±20V5.7A-符合RoHS标准PG-TO252-33.949996g2011150°C-55°C19 ns7ns12 ns20V600V373pF680mOhm750 mΩ- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IPD60R750E6ATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | Trans MOSFET N-CH 600V 5.7A 3-Pin(2 Tab) TO-252 | 对比 |
| IPD60R950C6ATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | INFINEON IPD60R950C6 Power MOSFET, N Channel, 4.4 A, 600 V, 0.86 ohm, 10 V, 3 V | 对比 |
 | NDD60N900U1T4G | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 600V 5.9A DPAK-3 | 对比 |
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