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STL80N75F6备选型号: STL100N6LF6

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  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
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  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • Vgs（最大值）
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  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 元素配置
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • STMicroelectronics
    STL80N75F6
    STMicroelectronics
    MOSFET N-Ch 75V 0.0051 Ohm 18A STripFET VI
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerVDFN
    8
    SILICON
    80A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    DeepGATE™, STripFET™ VI
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    6.3MOhm
    DUAL
    STL80
    8
    R-PDSO-N5
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    80W
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    6.3m Ω @ 9A, 10V
    4V @ 250μA
    7120pF @ 25V
    100nC @ 10V
    ±20V
    80A
    20V
    75V
    74A
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STL100N6LF6
    STMicroelectronics
    MOSFET N CH 60V 100A PWRFLAT 5X6
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerVDFN
    8
    SILICON
    4.8W Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    DeepGATE™, STripFET™ VI
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    -
    DUAL
    STL100
    8
    R-PDSO-N5
    -
    增强型MOSFET
    80W
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    4.5m Ω @ 11A, 10V
    2.5V @ 250μA
    8900pF @ 25V
    130nC @ 10V
    ±20V
    100A
    20V
    60V
    -
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    Single
    22A
    0.0072Ohm
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