STMicroelectronics STL100N6LF6

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-PowerVDFN

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

100A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

2.5V @ 250μA

Power Dissipation (Max)

4.8W Tc

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

DeepGATE™, STripFET™ VI

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

5

ECCN 代码

EAR99

端子位置

DUAL

基本部件号

STL100

JESD-30代码

R-PDSO-N5

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

80W

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

4.5m Ω @ 11A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

8900pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

130nC @ 10V

Vgs（最大值）

±20V

连续放电电流(ID)

100A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

22A

漏极-源极导通最大电阻

0.0072Ohm

漏源击穿电压

60V

RoHS状态

ROHS3 Compliant

辐射硬化

无

无铅

无铅