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首页 全部分类 STL86N3LLH6AG vs IRFH8324TRPBF

STL86N3LLH6AG备选型号: IRFH8324TRPBF

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  • 端子位置
  • 终端形式
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  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 栅源电压
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • STMicroelectronics
    STL86N3LLH6AG
    STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 30V 80A PWRFLAT56
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerVDFN
    8
    80A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Cut Tape (CT)
    Automotive, AEC-Q101, STripFET™ H6
    Discontinued
    1 (Unlimited)
    EAR99
    未说明
    未说明
    STL86
    Single
    N-Channel
    5.2m Ω @ 10.5A, 10V
    2.5V @ 250μA
    2030pF @ 25V
    17nC @ 4.5V
    30V
    ±20V
    80A
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRFH8324TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 90A 5X6 PQFN
    -
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    23A Ta 90A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    -
    -
    -
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    N-Channel
    4.1m Ω @ 20A, 10V
    2.35V @ 50μA
    2380pF @ 10V
    31nC @ 10V
    -
    ±20V
    23A
    ROHS3 Compliant
    12 Weeks
    SILICON
    2012
    e3
    5
    Matte Tin (Sn)
    HIGH RELIABILITY
    DUAL
    FLAT
    R-PDSO-F5
    增强型MOSFET
    3.6W
    DRAIN
    13 ns
    SWITCHING
    26ns
    8.5 ns
    20V
    50A
    30V
    200A
    94 mJ
    1.8 V
    无SVHC
    无
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