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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥9.27563
10
¥8.750594
100
¥8.255278
500
¥7.787998
1000
¥7.347167
Infineon Technologies IRFH8321TRPBF
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- 对比
IRFH8321TRPBF
1211-IRFH8321TRPBF
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
8-TQFN Exposed Pad
大陆
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MOSFET N CH 30V 21A PQFN5X6
--最小包装量--
¥
总价: ¥
IRFH8321TRPBF详情
Infineon Technologies IRFH8321TRPBF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
16 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-TQFN Exposed Pad
引脚数
8
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
21A Ta 83A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 10V
Power Dissipation (Max)
3.4W Ta 54W Tc
Turn Off Delay Time
12 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
HEXFET®
已出版
2012
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
通道数量
1
元素配置
Single
功率耗散
3.4W
接通延迟时间
14 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
4.9m Ω @ 20A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2V @ 50μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
2600pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
59nC @ 10V
上升时间
20ns
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
6.8 ns
连续放电电流(ID)
21A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
30V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
IRFH8321TRPBF拓展信息
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
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