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首页 全部分类 STL8DN6LF3 vs IPG20N06S2L35ATMA1

STL8DN6LF3备选型号: IPG20N06S2L35ATMA1

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  • 场效应管特性
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  • 晶体管元件材料
  • 已出版
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  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
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  • STMicroelectronics
    STL8DN6LF3
    STMicroelectronics
    MOSFET 2N-CH 60V 20A 5X6
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerVDFN
    8
    2
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    Automotive, AEC-Q101, STripFET™ III
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    65W
    STL8
    65W
    9 ns
    2 N-Channel (Dual)
    30m Ω @ 4A, 10V
    3V @ 250μA
    668pF @ 25V
    13nC @ 10V
    7.7ns
    60V
    5 ns
    20A
    20V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPG20N06S2L35ATMA1
    Infineon Technologies
    MOSFET 2N-CH 55V 20A TDSON-8-4
    -
    10 Weeks
    -
    表面贴装
    8-PowerVDFN
    -
    2
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    -
    *PG20N06
    -
    -
    2 N-Channel (Dual)
    35m Ω @ 15A, 10V
    2V @ 27μA
    790pF @ 25V
    23nC @ 10V
    -
    55V
    -
    -
    -
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    YES
    SILICON
    2009
    FLAT
    未说明
    未说明
    R-PDSO-F
    SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    65W
    20A
    0.035Ohm
    80A
    55V
    100 mJ
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