Infineon Technologies IPG20N06S2L35ATMA1

工厂交货时间

10 Weeks

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-PowerVDFN

表面安装

YES

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

2

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

20A

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™

已出版

2009

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

ECCN 代码

EAR99

终端形式

FLAT

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

基本部件号

*PG20N06

JESD-30代码

R-PDSO-F

配置

SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率 - 最大

65W

场效应管类型

2 N-Channel (Dual)

Rds On(Max)@Id,Vgs

35m Ω @ 15A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2V @ 27μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

790pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

23nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

55V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

20A

漏极-源极导通最大电阻

0.035Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

80A

DS 击穿电压-最小值

55V

雪崩能量等级（Eas）

100 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

逻辑电平门

RoHS状态

ROHS3 Compliant