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首页 全部分类 STL8N80K5 vs STD7NM60N

STL8N80K5备选型号: STD7NM60N

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  • 引脚数量
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  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 电阻
  • 阈值电压
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 达到SVHC
  • STMicroelectronics
    STL8N80K5
    STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 800V 4.5A 8PWRFLAT
    17 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerVDFN
    8
    SILICON
    4.5A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    SuperMESH5™
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    Matte Tin (Sn) - annealed
    DUAL
    FLAT
    260
    STL8
    8
    R-PDSO-F5
    Single
    增强型MOSFET
    42W
    DRAIN
    12 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    950m Ω @ 3A, 10V
    5V @ 100μA
    450pF @ 100V
    16.5nC @ 10V
    14ns
    800V
    ±30V
    20 ns
    4.5A
    30V
    0.95Ohm
    950μm
    5.4mm
    6.35mm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STD7NM60N
    STMicroelectronics
    MOSFET N-channel 600 V5 A 0.84 Ohm DPAK
    16 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    SILICON
    5A Tc
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    MDmesh™ II
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    -
    -
    鸥翼
    -
    STD7
    3
    R-PSSO-G2
    Single
    增强型MOSFET
    45W
    -
    7 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    900m Ω @ 2.5A, 10V
    4V @ 250μA
    363pF @ 50V
    14nC @ 10V
    10ns
    -
    ±25V
    12 ns
    5A
    25V
    -
    2.4mm
    6.6mm
    6.2mm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
    900mOhm
    3V
    5A
    600V
    20A
    119 mJ
    无SVHC
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