STMicroelectronics STL7N80K5
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STL7N80K5
2381-STL7N80K5
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
8-PowerVDFN
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MOSFET N-CH 800V 8POWERFLAT
--最小包装量--
STL7N80K5详情
STMicroelectronics STL7N80K5重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
工厂交货时间
17 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-PowerVDFN
引脚数
8
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
3.6A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
42W Tc
Turn Off Delay Time
23.7 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
SuperMESH5™
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
5
ECCN 代码
EAR99
端子位置
DUAL
终端形式
FLAT
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
基本部件号
STL7
JESD-30代码
R-PDSO-F5
通道数量
1
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
42W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
11.3 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
1.2 Ω @ 3A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
5V @ 100μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
360pF @ 100V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
13.4nC @ 10V
上升时间
8.3ns
漏源电压 (Vdss)
800V
Vgs(最大值)
±30V
下降时间(典型值)
20.2 ns
连续放电电流(ID)
3.6A
栅极至源极电压(Vgs)
30V
高度
950μm
长度
6.35mm
宽度
5.4mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
STL7N80K5拓展信息
STMicroelectronics
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