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首页 全部分类 STP11NM60 vs STP15NM65N

STP11NM60备选型号: STP15NM65N

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  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 电阻
  • 端子表面处理
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 附加功能
  • STMicroelectronics
    STP11NM60
    STMicroelectronics
    Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3 Tab) TO-220 Tube
    NRND (Last Updated: 8 months ago)
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    4.535924g
    SILICON
    11A Tc
    -65°C~150°C TJ
    Tube
    MDmesh™
    e3
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    450mOhm
    Matte Tin (Sn)
    600V
    11A
    STP11N
    3
    Single
    增强型MOSFET
    160W
    20 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    450m Ω @ 5.5A, 10V
    5V @ 250μA
    1000pF @ 25V
    30nC @ 10V
    20ns
    650V
    ±25V
    11 ns
    11A
    4V
    TO-220AB
    30V
    600V
    44A
    6.35mm
    31.75mm
    12.7mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
  • STMicroelectronics
    STP15NM65N
    STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 650V 12A TO-220
    -
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    -
    SILICON
    12A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    MDmesh™ II
    e3
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    350mOhm
    Matte Tin (Sn)
    -
    -
    STP15N
    3
    Single
    增强型MOSFET
    125W
    55.5 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    380m Ω @ 6A, 10V
    4V @ 250μA
    983pF @ 50V
    33.3nC @ 10V
    8ns
    -
    ±25V
    26 ns
    12A
    3V
    TO-220AB
    25V
    650V
    48A
    15.75mm
    10.4mm
    4.6mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    雪崩 额定
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