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STP11NM65N备选型号: SPP11N65C3XKSA1
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- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 端子表面处理
- 基本部件号
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- JEDEC-95代码
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级（Eas）
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 工厂交货时间
- 引脚数
- 供应商器件包装
- 已出版
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 无卤素
- 漏源电压 (Vdss)
- 最大双电源电压
- 输入电容
- 漏源电阻
- 最大rds
MOSFET N-CH 650V 11A TO-220通孔通孔TO-220-3SILICON11A Tc150°C TJTubeMDmesh™ IIe3活跃1 (Unlimited)3EAR99380mOhmMatte Tin (Sn)STP11N3R-PSFM-T3Single增强型MOSFET125W11 nsN-ChannelSWITCHING455m Ω @ 5.5A, 10V4V @ 250μA800pF @ 50V29nC @ 10V13ns±25V20 ns12ATO-220AB25V650V48A300 mJ无ROHS3 Compliant无铅--------------
MOSFET N-CH 650V 11A TO-220通孔通孔TO-220-3-11A Tc-55°C~150°C TJTubeCoolMOS™-Obsolete1 (Unlimited)-------Single-125W10 nsN-Channel-380mOhm @ 7A, 10V3.9V @ 500μA1200pF @ 25V60nC @ 10V5ns±20V5 ns11A-20V650V---符合RoHS标准无铅17 Weeks3PG-TO220-3-12005150°C-55°C650V11A无卤素650V650V1.2nF380mOhm380 mΩ- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| STP14NM65N | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET N-CH 650V 12A TO-220 | 对比 |
| SPP11N65C3XKSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET N-CH 650V 11A TO-220 | 对比 |
| STP15NM65N | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET N-CH 650V 12A TO-220 | 对比 |
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