Infineon Technologies SPP11N65C3XKSA1

工厂交货时间

17 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

引脚数

3

供应商器件包装

PG-TO220-3-1

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

11A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Power Dissipation (Max)

125W Tc

Turn Off Delay Time

44 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

CoolMOS™

已出版

2005

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-55°C

电压 - 额定直流

650V

额定电流

11A

元素配置

Single

功率耗散

125W

接通延迟时间

10 ns

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

380mOhm @ 7A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3.9V @ 500μA

无卤素

无卤素

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1200pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

60nC @ 10V

上升时间

5ns

漏源电压 (Vdss)

650V

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

5 ns

连续放电电流(ID)

11A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大双电源电压

650V

漏源击穿电压

650V

输入电容

1.2nF

漏源电阻

380mOhm

最大rds

380 mΩ

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅