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首页 全部分类 STP12NM50 vs STP11NM60

STP12NM50备选型号: STP11NM60

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  • 场效应管类型
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  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • 上升时间
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  • 阈值电压
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
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  • 最大结点温度（Tj）
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
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  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 下降时间（典型值）
  • STMicroelectronics
    STP12NM50
    STMicroelectronics
    Trans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(3 Tab) TO-220 Tube
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    16 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    4.535924g
    SILICON
    12A Tc
    -65°C~150°C TJ
    Tube
    MDmesh™
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    350mOhm
    Tin (Sn)
    雪崩 额定
    500V
    12A
    STP12
    3
    1
    Single
    增强型MOSFET
    160W
    20 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    350m Ω @ 6A, 10V
    5V @ 50μA
    1000pF @ 25V
    39nC @ 10V
    10ns
    ±30V
    12A
    4V
    TO-220AB
    30V
    500V
    48A
    400 mJ
    150°C
    19.68mm
    10.4mm
    4.6mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STP11NM60
    STMicroelectronics
    Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3 Tab) TO-220 Tube
    NRND (Last Updated: 8 months ago)
    -
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    4.535924g
    SILICON
    11A Tc
    -65°C~150°C TJ
    Tube
    MDmesh™
    e3
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    450mOhm
    Matte Tin (Sn)
    -
    600V
    11A
    STP11N
    3
    -
    Single
    增强型MOSFET
    160W
    20 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    450m Ω @ 5.5A, 10V
    5V @ 250μA
    1000pF @ 25V
    30nC @ 10V
    20ns
    ±25V
    11A
    4V
    TO-220AB
    30V
    600V
    44A
    -
    -
    6.35mm
    31.75mm
    12.7mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    650V
    11 ns
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