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首页 全部分类 STP12NM50FP vs STF19NM50N

STP12NM50FP备选型号: STF19NM50N

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  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
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  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 最大结点温度（Tj）
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • ECCN 代码
  • 下降时间（典型值）
  • 达到SVHC
  • STMicroelectronics
    STP12NM50FP
    STMicroelectronics
    Trans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(3 Tab) TO-220FP Tube
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    16 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3 Full Pack
    3
    SILICON
    12A Tc
    -65°C~150°C TJ
    Tube
    MDmesh™
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    350mOhm
    Matte Tin (Sn) - annealed
    雪崩 额定
    500V
    12A
    STP12
    3
    1
    Single
    增强型MOSFET
    35W
    ISOLATED
    20 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    350m Ω @ 6A, 10V
    5V @ 50μA
    1000pF @ 25V
    39nC @ 10V
    10ns
    ±30V
    12A
    4V
    TO-220AB
    30V
    500V
    48A
    400 mJ
    150°C
    20mm
    10.4mm
    4.6mm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STF19NM50N
    STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 500V 14A TO-220FP
    -
    16 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3 Full Pack
    3
    SILICON
    14A Tc
    150°C TJ
    Tube
    MDmesh™ II
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    250MOhm
    Matte Tin (Sn) - annealed
    -
    -
    -
    STF19
    3
    -
    Single
    增强型MOSFET
    30W
    ISOLATED
    12 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    250m Ω @ 7A, 10V
    4V @ 250μA
    1000pF @ 50V
    34nC @ 10V
    16ns
    ±25V
    14A
    3V
    TO-220AB
    25V
    500V
    56A
    208 mJ
    -
    16.4mm
    10.4mm
    4.6mm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    EAR99
    17 ns
    无SVHC
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