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首页 全部分类 STP26NM60N vs STP32NM50N

STP26NM60N备选型号: STP32NM50N

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  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
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  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 双电源电压
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • Reach合规守则
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JESD-30代码
  • 箱体转运
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • STMicroelectronics
    STP26NM60N
    STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 600V 20A TO-220
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    16 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    20A Tc
    150°C TJ
    Tube
    MDmesh™ II
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    通孔
    EAR99
    165MOhm
    Matte Tin (Sn)
    STP26N
    3
    Single
    增强型MOSFET
    140W
    13 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    165m Ω @ 10A, 10V
    4V @ 250μA
    1800pF @ 50V
    60nC @ 10V
    25ns
    ±30V
    50 ns
    10A
    TO-220AB
    25V
    20A
    600V
    80A
    600V
    3 V
    15.75mm
    10.4mm
    4.6mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STP32NM50N
    STMicroelectronics
    MOSFET N-Ch 500V 0.1 Ohm 22A MDmesh II FET
    NRND (Last Updated: 8 months ago)
    -
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    -
    SILICON
    22A Tc
    150°C TJ
    Tube
    MDmesh™ II
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    -
    EAR99
    -
    Tin (Sn)
    STP32N
    -
    Single
    增强型MOSFET
    190W
    -
    N-Channel
    SWITCHING
    130m Ω @ 11A, 10V
    4V @ 250μA
    1973pF @ 50V
    62.5nC @ 10V
    9.5ns
    ±25V
    23.6 ns
    22A
    TO-220AB
    25V
    -
    500V
    88A
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    未说明
    not_compliant
    未说明
    R-PSFM-T3
    DRAIN
    340 mJ
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