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STP31N65M5备选型号: STP30N65M5
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- 包装/外壳
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- 包装
- 系列
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- ECCN 代码
- 电阻
- 基本部件号
- 元素配置
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 晶体管元件材料
- JESD-609代码
- 终止次数
- 端子表面处理
- 附加功能
- 端子位置
- 引脚数量
- 配置
- 操作模式
- 晶体管应用
- 上升时间
- 下降时间（典型值）
- 阈值电压
- JEDEC-95代码
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级（Eas）
- 达到SVHC
MOSFET N-CH 650V 22A TO-220ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)17 Weeks通孔通孔TO-220-3322A Tc150°C TJTubeMDmesh™ V活跃1 (Unlimited)EAR99148mOhmSTP31NSingle150W46 nsN-Channel148m Ω @ 11A, 10V5V @ 250μA816pF @ 100V45nC @ 10V±25V22A25V650V15.75mm10.4mm4.6mm无ROHS3 Compliant无铅------------------ Trans MOSFET N-CH 650V 22A 3-Pin(3 Tab) TO-220 TubeACTIVE (Last Updated: 8 months ago)17 Weeks通孔通孔TO-220-3322A Tc150°C TJTubeMDmesh™ V活跃1 (Unlimited)EAR99-STP30N-140W50 nsN-Channel139m Ω @ 11A, 10V5V @ 250μA2880pF @ 100V64nC @ 10V±25V22A25V650V15.75mm10.4mm4.6mm无ROHS3 Compliant无铅SILICONe33Matte Tin (Sn)雪崩能源评级SINGLE3SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETSWITCHING8ns10 ns4VTO-220AB88A500 mJ无SVHC
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| STP24N60M2 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET N-Ch 600V 0.168 Ohm 18A Mdmesh II Plus | 对比 |
| STP34N65M5 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET N-CH 650V 28A TO-220 | 对比 |
 | IPP65R125C7XKSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET N-CH 650V 18A TO220 | 对比 |
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