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STP33N65M2备选型号: IPP65R125C7XKSA1
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- 箱体转运
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- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
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- 连续放电电流(ID)
- JEDEC-95代码
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- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
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- 最小工作温度
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- 下降时间（典型值）
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- 漏源电阻
- 最大rds
- 无铅
MOSFET N-CH 650V 24A TO220ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)16 Weeks通孔通孔TO-220-33SILICON24A Tc150°C TJTubeMDmesh™ M2活跃1 (Unlimited)3EAR99STP33NSingle增强型MOSFETDRAIN13.5 nsN-ChannelSWITCHING140m Ω @ 12A, 10V4V @ 250μA1790pF @ 100V41.5nC @ 10V650V±25V24ATO-220AB25V0.14Ohm96A650V780 mJ15.75mm10.4mm4.6mmROHS3 Compliant------------
MOSFET N-CH 650V 18A TO220-18 Weeks通孔通孔TO-220-33-18A Tc-55°C~150°C TJTubeCoolMOS™ C7活跃1 (Unlimited)------14 nsN-Channel-125mOhm @ 8.9A, 10V4V @ 440μA1670pF @ 400V35nC @ 10V650V±20V18A-20V-------ROHS3 CompliantPG-TO220-32008150°C-55°C无卤素15ns8 ns650V1.67nF110mOhm125 mΩ无铅- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| STP20N65M5 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET N-CH 650V 18A TO-220 | 对比 |
| IPP65R125C7XKSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET N-CH 650V 18A TO220 | 对比 |
| STP21N65M5 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET N-CH 650V 17A TO-220 | 对比 |
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