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首页 全部分类 STP40NF10 vs STP30NF10

STP40NF10备选型号: STP30NF10

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  • Rds On(Max)@Id,Vgs
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  • 阈值电压
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  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
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  • RoHS状态
  • 无铅
  • 触点镀层
  • 附加功能
  • 箱体转运
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • STMicroelectronics
    STP40NF10
    STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 100V 50A TO-220
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    12 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    4.535924g
    SILICON
    50A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    STripFET™ II
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    33mOhm
    Matte Tin (Sn)
    100V
    50A
    STP40N
    3
    Single
    增强型MOSFET
    150W
    21 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    28m Ω @ 25A, 10V
    4V @ 250μA
    2180pF @ 25V
    62nC @ 10V
    63ns
    ±20V
    28 ns
    50A
    3V
    TO-220AB
    20V
    40A
    100V
    200A
    9.15mm
    10.4mm
    4.6mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STP30NF10
    STMicroelectronics
    Trans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(3 Tab) TO-220 Tube
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    12 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    -
    SILICON
    35A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    STripFET™ II
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    45MOhm
    -
    100V
    35A
    STP30N
    3
    Single
    增强型MOSFET
    115W
    15 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    45m Ω @ 15A, 10V
    4V @ 250μA
    1180pF @ 25V
    55nC @ 10V
    40ns
    ±20V
    10 ns
    35A
    3V
    TO-220AB
    20V
    -
    100V
    -
    9.15mm
    10.4mm
    4.6mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    Tin
    雪崩 额定
    DRAIN
    275 mJ
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