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STP45N60DM2AG备选型号: FCPF36N60NT

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  • 已出版
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  • 元素配置
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  • 晶体管应用
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • STMicroelectronics
    STP45N60DM2AG
    STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 600V 34A
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    17 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    34A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    Automotive, AEC-Q101, MDmesh™ DM2
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    未说明
    未说明
    STP45N
    N-Channel
    93m Ω @ 17A, 10V
    5V @ 250μA
    2500pF @ 100V
    56nC @ 10V
    600V
    ±25V
    34A
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
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    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FCPF36N60NT
    ON Semiconductor
    MOSFET SupreMOS, 36A in TF220
    ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
    12 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3 Full Pack
    36A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    SupreMOS™
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    -
    -
    -
    N-Channel
    90m Ω @ 18A, 10V
    4V @ 250μA
    4785pF @ 100V
    112nC @ 10V
    -
    ±30V
    36A
    ROHS3 Compliant
    3
    2.27g
    SILICON
    2013
    e3
    yes
    3
    Tin (Sn)
    Single
    增强型MOSFET
    ISOLATED
    23 ns
    SWITCHING
    22ns
    4 ns
    TO-220AB
    30V
    0.09Ohm
    600V
    16.07mm
    10.36mm
    4.9mm
    无
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