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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥36.255252
10
¥34.20307
100
¥32.267046
500
¥30.440609
1000
¥28.717559
ON Semiconductor FCPF36N60NT
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- 对比
FCPF36N60NT
1807-FCPF36N60NT
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-220-3 Full Pack
大陆
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MOSFET SupreMOS, 36A in TF220
--最小包装量--
¥
总价: ¥
FCPF36N60NT详情
ON Semiconductor FCPF36N60NT重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
工厂交货时间
12 Weeks
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-220-3 Full Pack
引脚数
3
质量
2.27g
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
36A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Number of Elements
1
Turn Off Delay Time
94 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tube
系列
SupreMOS™
已出版
2013
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
ISOLATED
接通延迟时间
23 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
90m Ω @ 18A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
4785pF @ 100V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
112nC @ 10V
上升时间
22ns
Vgs(最大值)
±30V
下降时间(典型值)
4 ns
连续放电电流(ID)
36A
JEDEC-95代码
TO-220AB
栅极至源极电压(Vgs)
30V
漏极-源极导通最大电阻
0.09Ohm
漏源击穿电压
600V
高度
16.07mm
长度
10.36mm
宽度
4.9mm
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
FCPF36N60NT拓展信息
ON Semiconductor
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