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首页 全部分类 STP4N150 vs FQP4N90C

STP4N150备选型号: FQP4N90C

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  • 引脚数量
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  • 元素配置
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  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 最大结点温度（Tj）
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 质量
  • 已出版
  • 无铅代码
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 资历状况
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • STMicroelectronics
    STP4N150
    STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 1500V 4A TO-220
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    12 Weeks
    Tin
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    4A Tc
    150°C TJ
    Tube
    PowerMESH™
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    7Ohm
    1.5kV
    4A
    STP4N
    3
    1
    Single
    增强型MOSFET
    160W
    ISOLATED
    35 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    7 Ω @ 2A, 10V
    5V @ 250μA
    1300pF @ 25V
    50nC @ 10V
    30ns
    1500V
    ±30V
    45 ns
    4A
    4V
    TO-220AB
    30V
    4A
    1.5kV
    150°C
    19.68mm
    10.4mm
    4.6mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FQP4N90C
    ON Semiconductor
    Trans MOSFET N-CH 900V 4A 3-Pin(3 Tab) TO-220 Tube
    ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
    8 Weeks
    Tin
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    4A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    QFET®
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    -
    900V
    4A
    -
    -
    -
    Single
    增强型MOSFET
    140W
    -
    25 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    4.2 Ω @ 2A, 10V
    5V @ 250μA
    960pF @ 25V
    22nC @ 10V
    50ns
    -
    ±30V
    35 ns
    4A
    5V
    TO-220AB
    30V
    4A
    900V
    -
    9.2mm
    9.9mm
    4.5mm
    无SVHC
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    1.8g
    2013
    yes
    未说明
    未说明
    不合格
    570 mJ
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