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首页 全部分类 STP4N150 vs STP3N150

STP4N150备选型号: STP3N150

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  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
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  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 最大结点温度（Tj）
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
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  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 质量
  • 端子表面处理
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • STMicroelectronics
    STP4N150
    STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 1500V 4A TO-220
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    12 Weeks
    Tin
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    4A Tc
    150°C TJ
    Tube
    PowerMESH™
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    7Ohm
    1.5kV
    4A
    STP4N
    3
    1
    Single
    增强型MOSFET
    160W
    ISOLATED
    35 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    7 Ω @ 2A, 10V
    5V @ 250μA
    1300pF @ 25V
    50nC @ 10V
    30ns
    1500V
    ±30V
    45 ns
    4A
    4V
    TO-220AB
    30V
    4A
    1.5kV
    150°C
    19.68mm
    10.4mm
    4.6mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STP3N150
    STMicroelectronics
    MOSFET 1500V 6Ohm 2.5A N-Channel
    ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
    12 Weeks
    -
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    2.5A Tc
    150°C TJ
    Tube
    PowerMESH™
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    9Ohm
    -
    -
    STP3N
    3
    -
    Single
    增强型MOSFET
    140W
    -
    24 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    9 Ω @ 1.3A, 10V
    5V @ 250μA
    939pF @ 25V
    29.3nC @ 10V
    47ns
    1500V
    ±30V
    61 ns
    2.5A
    4V
    TO-220AB
    30V
    -
    1.5kV
    -
    15.75mm
    10.4mm
    4.6mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    4.535924g
    Matte Tin (Sn) - annealed
    450 mJ
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