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首页 全部分类 STP7NM60N vs FDP7N60NZ

STP7NM60N备选型号: FDP7N60NZ

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  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
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  • JESD-609代码
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  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 电阻
  • 端子表面处理
  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 质量
  • 已出版
  • 无铅代码
  • 通道数量
  • 最大结点温度（Tj）
  • STMicroelectronics
    STP7NM60N
    STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 600V 5A TO-220AB
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    5A Tc
    150°C TJ
    Tube
    MDmesh™ II
    e3
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    900mOhm
    Matte Tin (Sn)
    STP7N
    3
    Single
    增强型MOSFET
    45W
    7 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    900m Ω @ 2.5A, 10V
    4V @ 250μA
    363pF @ 50V
    14nC @ 10V
    10ns
    ±25V
    12 ns
    5A
    3V
    TO-220AB
    25V
    5A
    600V
    20A
    119 mJ
    15.75mm
    10.4mm
    4.6mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDP7N60NZ
    ON Semiconductor
    N-Channel Power MOSFET, UniFETTM II, 600 V, 6.5 A, 1.25 O, TO-220
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    6.5A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    UniFET-II™
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    1.25MOhm
    Tin (Sn)
    -
    -
    Single
    增强型MOSFET
    147W
    17.5 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    1.25 Ω @ 3.25A, 10V
    5V @ 250μA
    730pF @ 25V
    17nC @ 10V
    30ns
    ±30V
    25 ns
    6.5A
    3V
    TO-220AB
    30V
    -
    600V
    26A
    275 mJ
    20.4mm
    10.67mm
    4.83mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
    5 Weeks
    1.8g
    2010
    yes
    1
    150°C
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