STMicroelectronics STP9NM60N

生命周期状态

NRND (Last Updated: 7 months ago)

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

6.5A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

70W Tc

Turn Off Delay Time

52.5 ns

操作温度

150°C TJ

包装

Tube

系列

MDmesh™ II

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

基本部件号

STP9N

引脚数量

3

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

70W

接通延迟时间

28 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

745m Ω @ 3.25A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

452pF @ 50V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

17.4nC @ 10V

上升时间

23ns

漏源电压 (Vdss)

600V

Vgs（最大值）

±25V

下降时间（典型值）

26.7 ns

连续放电电流(ID)

6.5A

阈值电压

3V

JEDEC-95代码

TO-220AB

栅极至源极电压(Vgs)

25V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

9A

漏极-源极导通最大电阻

0.745Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

26A

DS 击穿电压-最小值

600V

高度

15.75mm

长度

10.4mm

宽度

4.6mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅