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首页 全部分类 STP80N6F6 vs BUK753R5-60E,127

STP80N6F6备选型号: BUK753R5-60E,127

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  • 通道数量
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  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • Vgs（最大值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 表面安装
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 端子表面处理
  • Reach合规守则
  • 引脚数量
  • 配置
  • 操作模式
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • STMicroelectronics
    STP80N6F6
    STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 60V 110A STripFET VI DeepGATE
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    110A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    Automotive, AEC-Q101, DeepGATE™, STripFET™ VI
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    EAR99
    5mOhm
    STP80N
    1
    Single
    N-Channel
    5.8m Ω @ 50A, 10V
    4.5V @ 250μA
    7480pF @ 25V
    122nC @ 10V
    ±20V
    110A
    20V
    60V
    15.75mm
    10.4mm
    4.6mm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • NXP USA Inc.
    BUK753R5-60E,127
    NXP USA Inc.
    Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin TO-220AB Rail
    -
    -
    通孔
    TO-220-3
    -
    120A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    TrenchMOS™
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    N-Channel
    3.5m Ω @ 25A, 10V
    4V @ 1mA
    8920pF @ 25V
    114nC @ 10V
    ±20V
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    NO
    2012
    e3
    Tin (Sn)
    not_compliant
    3
    Single
    增强型MOSFET
    60V
    120A
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