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首页 全部分类 STP80N6F6 vs IRFB7545PBF

STP80N6F6备选型号: IRFB7545PBF

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  • 栅极至源极电压(Vgs)
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  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 工厂交货时间
  • 质量
  • 已出版
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 下降时间（典型值）
  • 阈值电压
  • 达到SVHC
  • STMicroelectronics
    STP80N6F6
    STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 60V 110A STripFET VI DeepGATE
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    110A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    Automotive, AEC-Q101, DeepGATE™, STripFET™ VI
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    EAR99
    5mOhm
    STP80N
    1
    Single
    N-Channel
    5.8m Ω @ 50A, 10V
    4.5V @ 250μA
    7480pF @ 25V
    122nC @ 10V
    ±20V
    110A
    20V
    60V
    15.75mm
    10.4mm
    4.6mm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRFB7545PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N CH 60V 95A TO-220AB
    -
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    95A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®, StrongIRFET™
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    -
    -
    1
    Single
    N-Channel
    5.9m Ω @ 57A, 10V
    3.7V @ 100μA
    4010pF @ 25V
    110nC @ 10V
    ±20V
    95A
    20V
    -
    16.51mm
    10.67mm
    4.83mm
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    12 Weeks
    6.000006g
    2008
    未说明
    未说明
    125W
    12 ns
    72ns
    60V
    43 ns
    3.7V
    无SVHC
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