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首页 全部分类 STP80NF06 vs FDP5800

STP80NF06备选型号: FDP5800

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  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
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  • 阈值电压
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  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
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  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
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  • 已出版
  • 无铅代码
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  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 资历状况
  • 电压
  • 电流
  • STMicroelectronics
    STP80NF06
    STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 60V 80A TO-220
    NRND (Last Updated: 8 months ago)
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    4.535924g
    SILICON
    80A Tc
    175°C TJ
    Tube
    STripFET™ II
    e3
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    8mOhm
    Matte Tin (Sn)
    低阈值
    60V
    80A
    STP80N
    3
    Single
    增强型MOSFET
    300W
    25 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    8m Ω @ 40A, 10V
    4V @ 250μA
    3850pF @ 25V
    150nC @ 10V
    85ns
    ±20V
    25 ns
    80A
    3V
    TO-220AB
    20V
    60V
    870 mJ
    9.15mm
    10.4mm
    4.6mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDP5800
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 60V 14A TO-220
    ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    4.535924g
    SILICON
    14A Ta 80A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    PowerTrench®
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    6MOhm
    Tin (Sn)
    -
    60V
    14A
    -
    -
    Single
    增强型MOSFET
    242W
    18 ns
    N-Channel
    -
    6m Ω @ 80A, 10V
    2.5V @ 250μA
    9160pF @ 15V
    145nC @ 10V
    19ns
    ±20V
    9 ns
    80A
    2.5V
    -
    20V
    60V
    652 mJ
    15.7mm
    9.9mm
    4.5mm
    无SVHC
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    11 Weeks
    2013
    yes
    未说明
    未说明
    不合格
    60V
    81A
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