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首页 全部分类 STP95N4F3 vs STP120N4F6

STP95N4F3备选型号: STP120N4F6

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  • 箱体转运
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  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
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  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 漏源电压 (Vdss)
  • DS 击穿电压-最小值
  • STMicroelectronics
    STP95N4F3
    STMicroelectronics
    MOSFET N Ch 40V 5.4mOhm 80A
    ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
    12 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    80A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    STripFET™ III
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    STP95
    3
    Single
    增强型MOSFET
    110W
    DRAIN
    15 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    6.2m Ω @ 40A, 10V
    4V @ 250μA
    2200pF @ 25V
    54nC @ 10V
    50ns
    ±20V
    15 ns
    80A
    2V
    TO-220AB
    20V
    0.0062Ohm
    40V
    400 mJ
    15.75mm
    10.4mm
    4.6mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STP120N4F6
    STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 40V 80A TO-220AB
    ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
    20 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    1
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    Automotive, AEC-Q101, DeepGATE™, STripFET™ VI
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    STP120
    3
    Single
    增强型MOSFET
    110W
    DRAIN
    20 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    4.3m Ω @ 40A, 10V
    4V @ 250μA
    3850pF @ 25V
    65nC @ 10V
    70ns
    ±20V
    20 ns
    80A
    -
    TO-220AB
    20V
    -
    -
    -
    15.75mm
    10.4mm
    4.6mm
    -
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    40V
    40V
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