STMicroelectronics STP75N3LLH6

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

75A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

60W Tc

Turn Off Delay Time

37 ns

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tube

系列

DeepGATE™, STripFET™ VI

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子位置

SINGLE

基本部件号

STP75N

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSFM-T3

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

60W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

9.5 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

5.9m Ω @ 37.5A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2030pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

23.8nC @ 4.5V

上升时间

30ns

漏源电压 (Vdss)

30V

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

12 ns

连续放电电流(ID)

75A

JEDEC-95代码

TO-220AB

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏极-源极导通最大电阻

0.0084Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

300A

DS 击穿电压-最小值

30V

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅