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首页 全部分类 STP95N4F3 vs STP75N3LLH6

STP95N4F3备选型号: STP75N3LLH6

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  • Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
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  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
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  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
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  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 宽度
  • 长度
  • 高度
  • RoHS状态
  • 辐射硬化
  • 达到SVHC
  • 无铅
  • 端子位置
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • STMicroelectronics
    STP95N4F3
    STMicroelectronics
    MOSFET N Ch 40V 5.4mOhm 80A
    12 Weeks
    TO-220-3
    通孔
    通孔
    3
    SILICON
    80A Tc
    4V @ 250μA
    STripFET™ III
    Tube
    -55°C~175°C TJ
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    STP95
    Single
    增强型MOSFET
    110W
    DRAIN
    15 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    6.2m Ω @ 40A, 10V
    2200pF @ 25V
    54nC @ 10V
    50ns
    ±20V
    15 ns
    80A
    2V
    TO-220AB
    20V
    0.0062Ohm
    40V
    400 mJ
    4.6mm
    10.4mm
    15.75mm
    ROHS3 Compliant
    无
    无SVHC
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STP75N3LLH6
    STMicroelectronics
    Trans MOSFET N-CH 30V 75A 3-Pin(3 Tab) TO-220 Tube
    -
    TO-220-3
    通孔
    通孔
    3
    SILICON
    75A Tc
    2.5V @ 250μA
    DeepGATE™, STripFET™ VI
    Tube
    -55°C~175°C TJ
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    -
    STP75N
    -
    增强型MOSFET
    60W
    DRAIN
    9.5 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    5.9m Ω @ 37.5A, 10V
    2030pF @ 25V
    23.8nC @ 4.5V
    30ns
    ±20V
    12 ns
    75A
    -
    TO-220AB
    20V
    0.0084Ohm
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无
    -
    无铅
    SINGLE
    R-PSFM-T3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    30V
    300A
    30V
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